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大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備-工藝、、技術(shù)轉(zhuǎn)讓: 碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場強度高、電子飽和漂移速度高、熱導率高、以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點，是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體等新型器件和耐高溫集成電路的優(yōu)選材料，也是氮化鎵白光LED和氮化鎵微波功率器件理想的襯底材料。 本項目研究人工生長大直徑碳化硅單晶體的基本問題，開發(fā)適合于器件制造的優(yōu)質(zhì)碳化硅單晶的生長工藝與設備，形成一定的設備及晶體生產(chǎn)能力。目前，該項目組使用自行研制、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的TDL16型生長設備和晶體生長工藝，已能制備直徑58mm以內(nèi)、長度15mm以內(nèi)的6H-SiC體單晶；可以制備更大尺寸的4英寸碳化硅晶體生長設備已進入安裝、調(diào)試階段。